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霍爾遷移率測試儀在半導(dǎo)體材料的研究中的應(yīng)用
2024-11-04產(chǎn)品中心/ products
晶圓電阻率測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率(霍爾)測試儀,少子壽命測試儀,為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控,提供一整套完整測試和解決方案。
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專注于非接觸式半導(dǎo)體計(jì)量分析技術(shù)的開發(fā)和生產(chǎn) ,攻克被國外卡脖子技術(shù)。
產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、科研以及平板材料測試領(lǐng)域。借助公司*計(jì)量分析測試技術(shù),為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控,提供一整套完整測試和解決方案。
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一、
晶圓電阻率測試儀
硅片方阻測試儀
渦流法低電阻率分析儀
晶錠電阻率分析儀
非接觸少子壽命
參數(shù) | 方阻 | 電阻率(厚度180um) | 方法 | |
探頭量程 | 1-600Ω/¨ | 0.018-10.8 Ω?cm | 渦流法 | |
探頭性能 | 動(dòng)態(tài)重復(fù)性 | 靜態(tài)重復(fù)性 | 示值誤差 | |
1-80Ω/¨(0.018 - 1.44Ω?cm) < 0.2% | <0.01% | ±1% | ||
80-120Ω/¨(1.44 - 2.16Ω?cm) < 0.3% | ||||
120-300Ω/¨(2.16 - 5.4Ω?cm) < 0.5% | ||||
300-600Ω/¨(5.4 - 10.8Ω?cm)< 1% | ||||
外形尺寸 | 上探頭Ф20*145mm | 下探頭Ф20*50mm | ||
信號(hào)采集 | 采樣率:1500Sps | |||
采樣個(gè)數(shù):512點(diǎn)/單次 | ||||
采樣緩存:8級(jí)數(shù)據(jù)記錄緩存 | ||||
數(shù)據(jù)傳輸:RS232 RS485CANTCP/IP | ||||
傳輸協(xié)議:Modbus Rtu/ Modbus Tcp 用戶自定義協(xié)議等 | ||||
供電電源 | 24V/1A |
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