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非接觸方阻測(cè)試儀在半導(dǎo)體材料的研發(fā)和生產(chǎn)中的作用
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PN型測(cè)試儀可以測(cè)試硅片PN型號(hào)、硅片厚度也是影響生產(chǎn)力的一個(gè)因素,因?yàn)樗P(guān)系到每個(gè)硅塊所生產(chǎn)出的硅片數(shù)量。超薄的硅片給線鋸技術(shù)提出了額外的挑戰(zhàn),因?yàn)槠渖a(chǎn)過(guò)程要困難得多。除了硅片的機(jī)械脆性以外,如果線鋸工藝沒(méi)有精密控制,細(xì)微的裂紋和彎曲都會(huì)對(duì)產(chǎn)品良率產(chǎn)生負(fù)面影響。超薄硅片線鋸系統(tǒng)必須可以對(duì)工藝線性、切割線速度和壓力、以及切割冷卻液進(jìn)行精密控制。
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PN型測(cè)試儀特點(diǎn):
導(dǎo)電性:n型硅片具有良好的電子導(dǎo)電性。它的導(dǎo)電性主要來(lái)源于額外添加的五價(jià)元素如磷或砷,這些元素會(huì)提供自由電子,使得n型硅片帶負(fù)電荷。相反,p型硅片則通過(guò)摻入三價(jià)元素如硼或鋁,形成空穴??昭ㄔ谶@種材料中具有正電荷,從而導(dǎo)致p型硅片呈現(xiàn)出正電導(dǎo)特性。
雜質(zhì)摻入:n型和p型硅片的區(qū)別還在于摻雜的雜質(zhì)類(lèi)型和濃度。n型硅片通常通過(guò)在硅晶體中引入少量的五價(jià)元素來(lái)形成,以增加自由電子數(shù)量。這些雜質(zhì)被稱(chēng)為施主雜質(zhì)。相反,p型硅片需要引入三價(jià)元素作為受主雜質(zhì),以捕獲并增加電子空穴。
工作原理:n型和p型硅片的不同導(dǎo)致了半導(dǎo)體器件的工作原理差異。當(dāng)n型和p型硅片通過(guò)特定方式連接時(shí),形成了一個(gè)結(jié)構(gòu)稱(chēng)為PN結(jié)。PN結(jié)具有整流特性,即只允許電流在一個(gè)方向上通過(guò)。這種特性使得硅片可以用于制造二極管、晶體管和其他各種半導(dǎo)體器件。
應(yīng)用領(lǐng)域:n型和p型硅片在不同的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。n型硅片通常用于制造電子器件如晶體管和集成電路,而p型硅片則廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池板等光電器件的制造。
硅片厚度也是影響生產(chǎn)力的一個(gè)因素,因?yàn)樗P(guān)系到每個(gè)硅塊所生產(chǎn)出的硅片數(shù)量。超薄的硅片給線鋸技術(shù)提出了額外的挑戰(zhàn),因?yàn)槠渖a(chǎn)過(guò)程要困難得多。除了硅片的機(jī)械脆性以外,如果線鋸工藝沒(méi)有精密控制,細(xì)微的裂紋和彎曲都會(huì)對(duì)產(chǎn)品良率產(chǎn)生負(fù)面影響。超薄硅片線鋸系統(tǒng)必須可以對(duì)工藝線性、切割線速度和壓力、以及切割冷卻液進(jìn)行精密控制。
PN型測(cè)試儀技術(shù)參數(shù):
重量 | 35kg |
尺寸 | 460mm(長(zhǎng))×505mm(寬)×205mm(高) |
接口 | 以太網(wǎng)口×1,DB9×1 |
電源線接口×1,腳踏開(kāi)關(guān)×1 | |
開(kāi)關(guān)按鈕×1,氣源口×1 | |
硅片要求 | 方片:125mm×125mm,156mm×156mm |
圓片(寸):4",5",6",8",12" | |
硅片厚度范圍:50μm~1000μm | |
硅片電阻率范圍:0.1?·cm~20?·cm(電阻率范圍可定制)(厚度約180μm) | |
數(shù)據(jù)指標(biāo) | |
單點(diǎn)及多點(diǎn)厚度 | 誤差≤±3.00μm |
重復(fù)性≤±0.5μm | |
電阻率 | 誤差≤±2% |
重復(fù)性≤0.5% | |
環(huán)境要求 | |
溫度 | 22℃~25℃ |
濕度 | 35%~60%RH |
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