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硅片電阻率測(cè)試儀的準(zhǔn)備事項(xiàng)設(shè)置的步驟
2024-11-14非接觸電阻率測(cè)試儀的使用指南,不可錯(cuò)過(guò)
2025-01-16產(chǎn)品中心/ products
非接觸式單點(diǎn)薄層電阻測(cè)量系統(tǒng)。該裝置包含一個(gè)渦流傳感器組,感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測(cè)量?jī)x試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測(cè)量對(duì)象的片電阻相關(guān)的電磁場(chǎng)。電渦流技術(shù)不依賴于表面特征或形貌。此外,非接觸式單點(diǎn)方阻測(cè)試儀不需要如已知的2或4點(diǎn)探針測(cè)試(2PP, 4PP)或霍爾效應(yīng)或范德波測(cè)量一樣進(jìn)行任何形式的充分的樣品接觸或備樣。無(wú)損電阻率測(cè)試儀既不需要設(shè)置測(cè)試結(jié)構(gòu),也不受表面粗糙度。
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無(wú)損電阻率測(cè)試儀介紹:
非接觸式單點(diǎn)薄層電阻測(cè)量系統(tǒng)。該裝置包含一個(gè)渦流傳感器組,感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測(cè)量?jī)x試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測(cè)量對(duì)象的片電阻相關(guān)的電磁場(chǎng)。電渦流技術(shù)不依賴于表面特征或形貌。此外,非接觸式單點(diǎn)方阻測(cè)試儀不需要如已知的2或4點(diǎn)探針測(cè)試(2PP, 4PP)或霍爾效應(yīng)或范德波測(cè)量一樣進(jìn)行任何形式的充分的樣品接觸或備樣。非接觸式單點(diǎn)方阻測(cè)試儀既不需要設(shè)置測(cè)試結(jié)構(gòu),也不受表面粗糙度或非導(dǎo)電封裝或鈍化層的影響。此外,測(cè)量不會(huì)對(duì)被測(cè)薄膜產(chǎn)生物理影響。渦流儀器不存在機(jī)械磨損,使用壽命長(zhǎng)。無(wú)損電阻率測(cè)試儀的獨(dú)立性與接觸質(zhì)量和它的高速允許實(shí)現(xiàn)高重復(fù)性和準(zhǔn)確性,有利于在研發(fā)和測(cè)試實(shí)驗(yàn)室的各種薄膜的系統(tǒng)質(zhì)量保證。
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